主要规格及技术指标

1、分辨率：0.7nm@15kV，1.0nm@1kV（高真空）；1.0nm@15kV，1.8nm@3kV（低真空）；0.8nm@30KV(stem)； 2、加速电压：200V～30kV； 3、束流强度：1 pA ～400 nA； 4、电子枪：超稳定肖特基电子枪；

主要功能及特色

1、可以观察包括磁性样品在内的各种样品微纳米级别表面形貌和成分衬度； 2、可以使用STEM探测器观察生物样品或超薄样品的内部结构； 3、可以利用能谱仪获得样品表面的元素成分信息并进行定性定量分析； 4、可以利用离子溅射仪对样品表面进行镀膜处理； 5、超大分析性样品仓； 6、完全无油真空系统；

主要附件与配置

1、镜筒内探测器T1/T2/T3、样品室二次电子探测器ET-SED、低真空二次电子探测器LVD、可伸缩DBS探测器、可伸缩STEM探测器（可观察超薄样品内部结构）； 2、EDS能谱仪：线扫、面扫、定量分析； 3、离子溅射仪（铂靶）