主要规格及技术指标

1、分辨率：0.7nm@15kV，1.0nm@1kV（高真空）；1.0nm@15kV，1.8nm@3kV（低真空）；0.8nm@30KV(stem)； 2、加速电压：200V～30kV； 3、束流强度：1 pA ～400 nA； 4、电子枪：超稳定肖特基电子枪；

主要功能及特色

1、可以观察包括弱磁性样品在内的各种样品微纳米级别表面形貌和成分衬度； 2、可以利用能谱仪获得样品表面的元素成分信息并进行定性定量分析；

主要附件与配置

1、镜筒内探测器T1/T2/T3、样品室二次电子探测器ET-SED、低真空二次电子探测器LVD、可伸缩DBS探测器 2、EDS能谱仪：点扫、面扫